2026世界杯最新押注登录平台 意法半导体备战800VDC, 卡位AI数据中心

ST示意，SiC和GaN家具组合已为下一代高压管事器基础设施作念好准备。

欧洲半导体制造商意法半导体（ST）示意，跟着各人东说念主工智能基础设施的电力需求激增，该公司正在准备与英伟达下一代800VDC电源架构相兼容的家具，用于东说念主工智能数据中心。

ST公司亚太区（除中外洋）销售和商场营销实施副总裁野口博在5月15日于首尔COEX举行的新闻发布会上示意，当商场摄取800VDC基础设施时，该公司已作念好准备作念出反应。

野口示意：“当商场需要800VDC关系家具时，咱们有才调实时作念出反应。咱们也曾掌捏了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）以及数字电源联想和制造时间，这些王人是800VDC系统的要津构成部分。”

把柄国际动力署（IEA）的数据，到2030年，各人数据中心的电力需求瞻望将比2024年增长一倍以上，达到945太瓦时（TWh）。这将杰出韩国约600太瓦时的年用电量。在好意思国，当作各人主要科技公司迫临地，瞻望到2030年，数据中心的电力需求将占到好意思国总用电量的一半。

跟着数据中心电力需求的增长，高效的电源治理时间正在成为要津治理决议，其中800 VDC被觉得是最初的行为之一。

传统数据中心通过多级移动供电。插足数据中心的高压相通电起原在变电站降压，然后由管事器机架内的电源单位移动为54V直流电。之后，电压再次降至12V，最终到达电压养息模块，为GPU提供低于1V的电压。每级电压移动王人会变成能量损耗和热量产生，从而镌汰合座后果。

上图是2025年和2027年数据中心供电架构对比。在现在的系统中，输入的相通电需要经过多个移动阶段，由多样建造完成移动。英伟达提倡的未来架构将相通电径直移动为800V直流电，并以更少的移动技艺将其运送到管事器机架，从而降死板量损耗。

英伟达的800VDC架构旨在将高压直流电径直运送到管事器机架，从而减少GPU赢得电力前所需的移动级数。这种决议镌汰了移动损耗，减少了发烧量，并放松了电线和机架式电源的尺寸。

SiC和GaN半导体在这种结构中起着中枢作用，尤其是在将电压从800V镌汰到6V傍边的DC-DC移动器中。

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是由多种元素构成的化合物半导体。与传统的硅比拟，它们在高压高温条目下具有更高的走漏性，而况不错简化功率移动历程。诚然硅由于本钱上风在管事器范围仍占据主导地位，2026世界杯中国最新押注app但跟着价钱下落，碳化硅和氮化镓有望得到更平常的期骗。

野口示意，意法半导体（ST）已斥地出碳化硅（SiC）时间，简略将相通电源电压镌汰至50V，同期解救1200V以上的电压。他还补充说，该公司用于电源移动中高频开关的氮化镓（GaN）时间，在原型阶段即可在800V和1MHz的电压下运行，同期已毕98%的后果和每立方英寸2600W的功率密度。

除了现存的800V至50V治理决议外，ST最近还新增了800V至12V和800V至6V家具系列。

碳化硅（SiC）常常在1200V以上的电压环境下后果更高，而氮化镓（GaN）在较低电压下后果更高。在典型的系统架构中，SiC起原将电压从800V镌汰，然后GaN将其进一步镌汰到个位数电压范围。GaN还解救更小的模块联想。举例，它不错将48V的输入电压径直降至1V，与硅基治理决议比拟，省去了一个移动级，从而减小了元件尺寸。

“基于氮化镓的治理决议有助于放松器件尺寸，并有助于斥地更高效的器件，”野口说。

意法半导体（ST）还示意，其领灵验于贬抑电源移动系统的数字电源联想和制造才调。野口示意，公司不错提供封装级别的定制联想，包括模拟和搀杂信号电源时间。“咱们径直在GPU隔壁已毕了6V总线，以减少移动级数并最大贬抑地镌汰功率损耗，”他补充说念。

英伟达瞻望，跟着其自主研发的Kyber机架式系统的出货量在2027年运行提高，800VDC架构的期骗将会愈加平常。Kyber系统可齐集576个Rubin Ultra GPU，并在单个机架内集成18个盘算刀片。

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